比QLC闪存还渣 FLC闪存即将浮出水面：用户还能接受吗？

NAND闪存从SLC到MLC再到TLC，可以说一步步降低了成本，提升了容量，这是它们得以普及的关键。现在QLC闪存在这一年中发展迅猛，大有抢TLC风头的意味，而更渣的PLC闪存也在路上了。

所谓 SLC 、 MLC 、 TLC 、 QLC 及 PLC ，指的是闪存的类型，它们每个 cell 单元分别存放 1 、 2 、 3 、 4 、 5 位电荷，所以容量越来越大，但是代价就是写入速度越来越低， P/E 寿命越来越渣 ， QLC 的 P/E 次数宣传上有 1000 次，实际大概是几百次， FLC 时代弄不好要跌到 100 次内了。

从消费者角度来说， QLC 闪存都很难接受，更别提再渣一等的 PLC 闪存，这寿命和速度看着不让人放心。

但是闪存厂商对 PLC 闪存的研究早就开始了，随着 QLC 闪存发展的第三、第四代，目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了，研发中的 FLC 闪存进入市场只是迟早的事。

从 Intel 之前的表态来看， 他们早就规划好 FLC 闪存了，好消息是其 3D PLC 闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构（ Floating Gate ） ，尽管当前 3D 闪存的主流结构是 Charge Trap 电荷捕获型，但 Intel 指出，浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

三星、东芝、美光、 SK 海力士、西数等公司的 FLC 闪存也是箭在弦上，只是时间早晚的事。

FLC 闪存一定会被推到市场上，但是最终能不能被接受还不好说， SINA 存储网络协会董事会成员 J Metz 认为 FLC 闪存在技术上是不可避免的，但他对其市场前景表示怀疑，特别是 TLC 闪存等成本不断下降的情况下。

根据 J Metz 的看法，阻碍 FLC 闪存的倒不是 FLC 本身缺点，而是厂商如果能在 TLC 或者 QLC 闪存上就做到需要的大容量、成本等指标，那就没必要去推 FLC 闪存，毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。

【作者：宪瑞】