西数发布BiCS5闪存技术 做到了112层堆栈

闪存技术一直在发展，近日，西数与铠侠联合开发推出新一代闪存技术BiCS5，拥有TLC及QLC闪存两种类型，最高密度为1.33Tb QLC闪存，初期会以512Gb核心的TLC开始量产，而商业化量产时间预计2020年下半年，其中日本三重县四日市及岩手县北上市的晶圆厂作为主要生产工厂。

西数存储芯片技术和制造高级副总裁Steve Paak博士表示，在进入下一个十年的时候，一种新型的3D闪存对持续满足不断增长的数据容量及速率的需求至关重要，而BiCS5的成功研发体现了西数在闪存技术上的领导地位及路线图的强大执行力。

据介绍，西数目前最先进、密度最高的3D NAND闪存BiCS5闪存，通过第二代多层存储孔、改进工艺及其他3D NANDg功能等手段提高存储芯片的横向存储密度，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈，存储容量提升40%，IO性能提升50%，成本也优化了。