4月27日消息:最近有消息称,三星将在5月24日的晶圆厂商论坛活动中公布其全新研发的MRAM,即磁阻式随机存储器。
据悉,新的MRAM速度比普通闪存快10万倍,更重要的一个特征是不会丢失数据。该技术由三星和IBM在去年7月首次公开展示。
而就在研发过程中,三星还加入了自旋转矩技术,可以大降低功耗。这项突破使得MRAM有条件运用到对功耗要求更敏感的移动设备上来,比如让手机实现内存、闪存的二合一。
MRAM
不过有关该技术的更多具体信息,现在并没有大范围公开,我们也只能期待三星能在5月给业界带来一些惊喜,这或许会成为一个新的契机。
事实上,对于非易失性内存的研发、应用和普及,业界已经期待了多年,但是不论在研发上还是商业化上,目前都没有一个完美的解决方案,所以整个业界对此也相当谨慎。
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