三星将于下个月公布非易失性内存技术

4月27日消息：最近有消息称，三星将在5月24日的晶圆厂商论坛活动中公布其全新研发的MRAM，即磁阻式随机存储器。

　　据悉，新的MRAM速度比普通闪存快10万倍，更重要的一个特征是不会丢失数据。该技术由三星和IBM在去年7月首次公开展示。

　　而就在研发过程中，三星还加入了自旋转矩技术，可以大降低功耗。这项突破使得MRAM有条件运用到对功耗要求更敏感的移动设备上来，比如让手机实现内存、闪存的二合一。

MRAM

　　不过有关该技术的更多具体信息，现在并没有大范围公开，我们也只能期待三星能在5月给业界带来一些惊喜，这或许会成为一个新的契机。

　　事实上，对于非易失性内存的研发、应用和普及，业界已经期待了多年，但是不论在研发上还是商业化上，目前都没有一个完美的解决方案，所以整个业界对此也相当谨慎。