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比QLC闪存还渣 FLC闪存即将浮出水面:用户还能接受吗?

发布时间:2020-04-13    浏览数:

NAND闪存从SLC到MLC再到TLC,可以说一步步降低了成本,提升了容量,这是它们得以普及的关键。现在QLC闪存在这一年中发展迅猛,大有抢TLC风头的意味,而更渣的PLC闪存也在路上了。

所谓 SLC 、 MLC 、 TLC 、 QLC 及 PLC ,指的是闪存的类型,它们每个 cell 单元分别存放 1 、 2 、 3 、 4 、 5 位电荷,所以容量越来越大,但是代价就是写入速度越来越低, P/E 寿命越来越渣 , QLC 的 P/E 次数宣传上有 1000 次,实际大概是几百次, FLC 时代弄不好要跌到 100 次内了。

从消费者角度来说, QLC 闪存都很难接受,更别提再渣一等的 PLC 闪存,这寿命和速度看着不让人放心。

但是闪存厂商对 PLC 闪存的研究早就开始了,随着 QLC 闪存发展的第三、第四代,目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了,研发中的 FLC 闪存进入市场只是迟早的事。

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从 Intel 之前的表态来看, 他们早就规划好 FLC 闪存了,好消息是其 3D PLC 闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构( Floating Gate ) ,尽管当前 3D 闪存的主流结构是 Charge Trap 电荷捕获型,但 Intel 指出,浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

三星、东芝、美光、 SK 海力士、西数等公司的 FLC 闪存也是箭在弦上,只是时间早晚的事。

FLC 闪存一定会被推到市场上,但是最终能不能被接受还不好说, SINA 存储网络协会董事会成员 J Metz 认为 FLC 闪存在技术上是不可避免的,但他对其市场前景表示怀疑,特别是 TLC 闪存等成本不断下降的情况下。

根据 J Metz 的看法,阻碍 FLC 闪存的倒不是 FLC 本身缺点,而是厂商如果能在 TLC 或者 QLC 闪存上就做到需要的大容量、成本等指标,那就没必要去推 FLC 闪存,毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。

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【作者:宪瑞】

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