三星宣布量产GDDR6显存 10nm工艺打造

      1月18日消息：三星在今天宣布开始量产GDDR6显存芯片，并表示GDDR6显存将使用10纳米级别生产工艺制造，密度可以达到16Gb。

　　据悉，三星GDDR6显存的单颗容量为2GB，工作频率16GHz，IO数据带宽64GB/s，电压为1.35V，相较GDDR5的1.55V节能大约35%。

显存

　　三星表示，全新的解决方案可以在一个18Gbps pin的速度上执行，每秒传输速度可以达到72 GBps。

　　随着“挖矿”事业的壮大，显卡行业似乎在游戏之外又焕发了“第二春”，市场上的显卡需求日益旺盛，也对显存的要求越来越高。

http://news.zol.com.cn/675/6752391.html news.zol.com.cn true 中关村在线 http://news.zol.com.cn/675/6752391.html report 487   1月18日消息：三星在今天宣布开始量产GDDR6显存芯片，并表示GDDR6显存将使用10纳米级别生产工艺制造，密度可以达到16Gb。　　据悉，三星GDDR6显存的单颗容量为2GB，工作频率16GHz，IO数据带宽64GB/s，电压为1.35V，相较GDDR5的1.55V节...