近日,东芝在CES 2018上展示了RC100 NVMe固态硬盘,最大的亮点在于RC100采用无DRAM(缓存)设计。早在此前就有部分厂商处于成本考虑推出了一些无缓存固态硬盘,但基本都是采用SATA接口且读写速度一般在500MB/s左右。
同样作为无缓存设计的RC100固态硬盘走的却是PCIe 3.0 x2通道,连续读写速度可达1620 MB/s(读取)、1130 MB/s(写入)。
据官方介绍,RC100固态硬盘采用的是主控内集成缓存(HBM)设计,随机读写IOPS分别高达160/120k。目前RC100固态硬盘拥有120/240/480GB三种容量可选,提供3年保修服务,价格及具体发售日期暂未公布。
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