Intel否认10nm处理器跳票：Q4如期投产、1nm正预研

本周对于Intel的10nm先进工艺来说，可谓坐过山车般。

周二的精尖制造日活动，Intel大谈特谈拥有超微缩FinFET的10nm是如何先进，领先友商3年，然而昨天（周三），Digitimes从笔记本OEM厂商那里获悉，Intel突然将Cannon Lake处理器延期到2018年末。

对此，网易报道称，Intel中国区总裁杨旭接受采访时强调，“Intel 10nm在今年第四季度就可以实现投产。”

他同时指出，“我们现在已经有技术验证7nm到5nm都没有问题。 而且我们在通过前瞻研究推进5nm以后的，比如3nm、1nm ，这些当然就需要很多别的新的技术，英特尔一直在探索。”

不过，资料显示，从物理学的角度，5nm以及之后需要解决绝缘体的问题，目前的14nm/10nm使用的是氮碳化硅硼(SiBCN)，7nm使用的是氮碳氧化硅(SiOCN)， 但用于5nm的终极绝缘体气隙(air gap)连IBM也没搞定。

当然，这只是一方面，EUV的光源功率、III-V材料等也都个个棘手。

1nm都来了，看来pm（皮米）、fm（飞米）也快了。