Intel今天在中国举办“精尖制造日”活动,对这些年的制程创新、摩尔定律以及即将推出的10nm Cannon Lake芯片做了讲解。
其实,相关PPT早已在国外展示,这次主要是翻译给国内的客户、媒体、消费者查阅。
亮点是特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith, 全球首次展示了10nm晶圆 ,它打造的就是Cannon Lake芯片。
Intel表示,这一代10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距,实现了业内最高的晶体管密度(每平方毫米晶体管数量超过1亿个), 领先其他10nm整整一代。
按计划,10nm Cannon Lake定于今年Q4率先登陆移动阵营,可能是Core m或者U系列低压产品,不过, 它们仍旧隶属于8代酷睿 。
其实,Intel对于制程的命名是业界最保守也是最权威的,不过三星、台积电等并不买账或者说不老实,随随便便就自诩10nm/14nm,这也让Intel很不满。
在会上,Intel再次翻出PPT称,从90nm开始到14nm,他们基本保持对行业的3年领先,换言之,Intel的14nm就是现在三星的10nm。
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