两年投入超300亿，华为终于在最核心领域内出手！不靠台积电。

据悉，美国此举实际上就是想限制台积电代工生产华为芯片，毕竟华为芯片几乎都由台积电代工生产，并且，台积电是技术最为先进的代工厂。

美国修改禁令规则后，全球芯片供应链都表达了不满，台积电更是不希望发生。

其不仅寻找禁令漏洞，还对美国政府进行游说，甚至直接向美国提出申请，目的就是放宽限制。

但结果很不理想，在7月中旬的时候，台积电明确表示，目前没有计划在9月14日后继续向华为供货，而美国禁令生效时间是9月15日。

另外，台积电刘德音表示，台积电追求的是技术领先，在半导体领域，如果不采用最好的设备，将难以达到技术领先水平。

如果要考虑美系科技以外的选项，那不是我们目前努力的方向。

也就是说，除非获得美国许可，否则台积电是不可能代工华为芯片，这意味着断供成必然。

虽然国内厂商有中芯国际，但在中芯国际上市前就表示，因为美国禁令，可能无法代工生产某些厂商的芯片。

最主要的是，中芯国际技术落后太多，目前能量产的最先进的芯片是14nm，产能还有限，12nm的芯片还在试产中。

至于7nm、5nm、3nm等制程的先进芯片，中芯国际目前是无法量产，也不能量产，因为没有EUV光刻机。

而芯片又是现在智能设备的核心元器件，倘若不能使用华为自主研发的海思系列处理器，将会影响华为5G、手机等业务。

于是，有报道称，华为正在学习三星，准备自建生产线，实现芯片自研自产，而高通目前也在朝着这方面转型。

面对光刻机这个棘手的问题，华为终于在最核心领域内出手了，要自主研发光刻机技术。

根据有关媒体的报道，华为目前已经在招聘光刻机工程，预计在两年内投入超300亿元，要实现自主光刻机技术突破。

当然，华为进入光刻机研发领域内，也并非一时兴起，早在2016年，华为就申请了相关光刻机技术专利，但当时环境并非这么迫切。

另外，消息称华为已经开启了“战时状态”，每天工作超18个小时，目前就全力实现光刻机技术突破。

因为EUV光刻机是生产7nm以下芯片的必要设备，而唯一生产先进光刻机的荷兰厂商ASML，也受制于美国禁令，所以先进光刻机一直无法达到国内。

在这样的情况下，华为不得不高投入、全力突破光刻机技术，只有掌握自主光刻机技术，才能彻底摆脱美国禁令。

当然，华为计划研发光刻机技术，2年超300亿还不够的，毕竟先进光刻机是顶级技术，零件超40万个，否则也不会仅掌握早荷兰一家公司手中。

但华为进入光刻机领域内是好事，必然会推动光刻机技术突破。

因为华为每进入一个领域，都能取得瞩目的成绩，像华为手机现在是全球第二、5G手机是全球第一、5G技术也是全球第一。

而华为海思更是全球第十，还是唯一一家国产半导体厂商，如今华为研发光刻机技术，必然加速国内光刻机技术的进行，尽早实现自主光刻机量产。

一旦国产自主先进光刻机研发成功，芯片代工方面不靠台积电，要知道，目前国内先进芯片几乎都是台积电代工的。

当然，华为在最核心的领域内出手，着手研发光刻机技术，也并非在孤军奋战。

目前国内厂商有很多都在研发光刻机技术。

像上海微电正在全力研发28nm的光刻机，预计近两年内量产，一旦投入使用，经过改良后，国内厂商就能量产10nm的芯片。

另外，深圳的中微半导体已经成功的研发出了可以用于5nm工艺生产的蚀刻机，消息称该国产5nm的腐蚀机已经通过台积电验证，将会用于生产5nm的芯片生产线中。

还有就是，中科院研究出了一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法，虽然与5nm光刻机等是两码事。

但至少掌握了5nm这样的先进切割技术，未来能够应用在光刻机中。

也就是说，一旦这些厂商技术成熟，通过技术融合成功量产自主光刻机，国内芯片厂商就能不靠台积电，更不用担心美国禁令了。